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這是日本重振半導體的戰略

日本和美國在前些日子的外交和經濟部長參加的日美「經濟版2+2」會談中,針對聯合研發任何企業都未量產的電路線寬「2奈米(奈米爲10億分之1米)」的最尖端半導體達成協議。

根據發佈的訊息,美國國立研究機構和日本的大學計劃在日本國內成立聯盟,但除此以外浮出水面的是在半導體微細化研究方面走在世界最前列的IBM和英特爾的參與。

兩家企業或其中一家有可能提供技術平臺,與日本的製造設備和原材料廠商合作開發在日本用於數據中心和自動駕駛等的高效能晶片的量產技術。汽車和通訊企業也被認爲將參與其中。

有報導稱,日本經濟產業相萩生田光一在黃金週期間考察了位於美國紐約州的IBM的研究所,日本方面感興趣的是該公司主導的聯盟擁有的「FinFET」和「全環繞柵極 (gate-all-around、簡稱GAA)」等技術。尤其是後者,這是決定半導體處理能力(晶體管的整合數)在1年半~2年裏翻番這一「摩爾定律」今後能否繼續維持的重要技術。南韓的三星電子最近利用這項技術,在「3奈米晶片」(2奈米的上1代)的量產化方面取得了進展。

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